درباره وبلاگ

آرشیو

آخرین پستها

پیوندها

نویسندگان

ابر برچسبها

آمار وبلاگ



Admin Logo
themebox Logo


نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-09:17 ق.ظ

ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید

عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers
عنوان فارسی مقاله:  ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 15
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبورPMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.
1.مقدمه:
کاربرد بیشتر و بیشتر ضرب کننده های ولتاژ، در زمینه های مختلف در نوشتجات گوناگون را می توان دید. یک پمپ شارژ AC/DC که گاهی نیز ضرب کننده ولتاژ نامیده می شود، ولتاژ AC ورودی را به ولتاژ خروجی DCبا دامنه ی افزایش یافته تبدیل می کند. به سبب ساختار ساده ی آن و عملکرد تبدیل مناسب، مدارات یکسوساز بطور گسترده ای در تشخیص فرکانس رادیویی (RFID)، تلمتری بیسیم، کاشت های پزشکی و کاربرد های دیگر، استفاده می شوند.
برای تحقیق مبدل AC/DC، یکسوسازهای تمام موج مرسوم تشکیل شده از ترانزیستورهای PMOS و NMOS دیود-متصل-شده، دارای مشکل تلفات توان مبنی بر ولتاژ آستانه ذاتی می باشند [4]. این یکسوساز معمولن در مدارات ولتاژ بالا که افت ولتاژ مستقیم دیود پایین است، کاربرد دارد. برای یکسوسازهای ولتاژ پایین، این افت ولتاژ به اندازه ی چشم گیری زیاد بوده و وابسته به جریان عبوری می باشد. ولتاژ خروجی یکسو شده و بازده ی تبدیل توان (PCE) را کاهش می دهد. به منظور بالا بردن بازده ی یکسوساز، یک یکسوساز فعال با افت ولتاژ کم، در [5] آورده شده است.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-09:05 ق.ظ

لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى

عنوان انگلیسی مقاله: LECTOR: A Technique for Leakage Reduction in CMOS Circuits
عنوان فارسی مقاله: لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 32
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ، منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به  طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترانزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی، نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده، که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده، نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده، و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار، فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین، روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط 79.4 درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.
کلیدواژه: ریزمیکرون ژرف، نشت توان، بهینه سازی توان، پشته ترانزیستور
1.مقدمه:
تلف توان موضوع مهمی در طراحی مدارات CMOS VLSI می باشد. مصرف توان زیاد،موجب کاهش عمر باطری در کاربردهای دارای باطری می شود و در قابلیت اطمینان، بسته ای سازی، و هزینه های خنک سازی تاثیر می گذارد. منابع اصلی تلفات توان این ها هستند: 1) تلفات توان خازنی مبنی بر شارژ و تخلیه ی(دشارژ) خازن بار. 2) جریان های اتصال کوتاه،بدلیل وجود یک مسیر رسانا میان منبع ولتاژ و گراند برای مدت کوتاهی در حین اینکه یک دروازه منطقی در حال عبور جریان از خود است؛ و 3) جریان نشتی. جریان نشتی شامل جریان های دیود بایاس معکوس و جریان های زیرآستانه می باشد.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-08:21 ق.ظ

ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید

عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers
عنوان فارسی مقاله:  ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 15
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبورPMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.
1.مقدمه:
کاربرد بیشتر و بیشتر ضرب کننده های ولتاژ، در زمینه های مختلف در نوشتجات گوناگون را می توان دید. یک پمپ شارژ AC/DC که گاهی نیز ضرب کننده ولتاژ نامیده می شود، ولتاژ AC ورودی را به ولتاژ خروجی DCبا دامنه ی افزایش یافته تبدیل می کند. به سبب ساختار ساده ی آن و عملکرد تبدیل مناسب، مدارات یکسوساز بطور گسترده ای در تشخیص فرکانس رادیویی (RFID)، تلمتری بیسیم، کاشت های پزشکی و کاربرد های دیگر، استفاده می شوند.
برای تحقیق مبدل AC/DC، یکسوسازهای تمام موج مرسوم تشکیل شده از ترانزیستورهای PMOS و NMOS دیود-متصل-شده، دارای مشکل تلفات توان مبنی بر ولتاژ آستانه ذاتی می باشند [4]. این یکسوساز معمولن در مدارات ولتاژ بالا که افت ولتاژ مستقیم دیود پایین است، کاربرد دارد. برای یکسوسازهای ولتاژ پایین، این افت ولتاژ به اندازه ی چشم گیری زیاد بوده و وابسته به جریان عبوری می باشد. ولتاژ خروجی یکسو شده و بازده ی تبدیل توان (PCE) را کاهش می دهد. به منظور بالا بردن بازده ی یکسوساز، یک یکسوساز فعال با افت ولتاژ کم، در [5] آورده شده است.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-08:10 ق.ظ

مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون

عنوان انگلیسی مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform
عنوان فارسی مقاله:  مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى سیلیکونی.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 24
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI)(منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی "نخست-الکترونی و سپس-فوتونی" ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موج بر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -1.0 v کار میکند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریانIdark کمتر از ∼0.57میکرو آمپر می باشد؛ در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخدهی بسیار سریع ∼0.92 A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر بدست آمده است، که درای بازده کوآنتومی 73% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼24.4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -3 dB با پهنای باند 11.3 گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی 2^7-1)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) 8.5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (800 درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکونبرای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.




داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-07:14 ق.ظ

مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری

عنوان انگلیسی مقاله: New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology
عنوان فارسی مقاله:  مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 16
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
در این مقاله، در مورد چالش های مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای  در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایش های گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی  و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.
کلمات کلیدی: ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو
1-مقدمه:
در چند سال اخیر، تلاشهای زیادی در جهت تحقیق و توسعه مدارهای کاربردی کم توان برای گرههای حسگری بی سیم تغذیه شده با باتری صورت گرفته است. اخیرا تعدادی از مقالات در این زمینه، در رابطه با استفاده از حوزه زمانی ADC به جای حوزه دامنه بحث کرده اند [1] – [4]. در مقالات مذکور، مبدل ها را می توان تماما از مولفه مداری دیجیتال ایجاد کرد ، اما این کار شرایط بسیار بسته ای را برای مقایسه گر  و مدار نمونه بردای  ایجاد خواهد کرد. برای مطابقت با این شرایط، باید فلیپ فلاپ های کم توان و پرسرعت با احتمال کم زیرپایداری طراحی شود. در سالهای اخیر، با کوچک شدن مقیاس های مداری در ابعاد اتمی، جریان های نشت مداری افزایش چشمگیر داشته است که منجر به اتلاف توان بالاتر می شود.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-05:17 ق.ظ

مدل کردن و کنترل فازی درایو دی سی

عنوان انگلیسی مقاله: Modelling and Fuzzy Control of DC Drive
عنوان فارسی مقاله: مدل کردن و کنترل فازی درایو دی سی.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
یک درایو DC صنعتی (22 kW)، با کنترل کننده ی فازی شبیه سازی شده است.دو مدل (خطی و غیر خطی) و دو کنترل کننده (PID و fuzzy) نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. استفاده از کنترل کننده ی fuzzy برای عملکرد درایو DC موفقیت آمیز بوده است.
مقدمه:
از دو مدل ریاضی درایو DC استفاده شد است. مدل اول همانند تابع تبدیل خطی مبدل و موتور DC ساخته شده است. مدل دوم ساخته شده از بلوک های پیشرفته از قسمت کتابخانه power system blockset(PSB) می باشد. این کتابخانه (library) درون محیط MATLAB/simulink از قسمت MATHWORK Inc می باشد. به نظر می رسد که استفاده از منطق فازی و مدل کتابخانه PSB روشی تازه و امیدوار کننده برای کنترل یک درایو الکتریکی می باشد.
مدل خطی درایو DC
از مدل های خطی و غیرخطی درایو DC استفاده می شود. مدل خطی شامل دو بخش می باشد: مبدل/یکسوساز و موتور DC. با استفاده از بلوک های محیط simulink (شبیه سازی)، مدل خطی موتور DC را تشکیل داده ایم (شکل 1). دو ورودی (ولتاژ و بار) و دو خروجی (سرعت زاویه ای موتور و جریان) وجود دارند. پارامترهای آن بطور خودکار از اطلاعات عددی کاتالوگ محاسبه شده اند. این پارامترها عبارتند از: توان، ولتاژ، جریان، سرعت، و غیره ی موتور. استفاده از اطلاعات نامی موتور برای محاسبه ی اندوکتانس و مقاومت روتور، ساده می باشد. محاسبه ی ثابت موتور DC و دیگر پارامترهای درونی موتور مشکل می باشد.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-03:42 ق.ظ

استراتژی شما برای مدیریت دانش چیست؟

عنوان انگلیسی مقاله: optical camouflage III: Auto-stereoscopic and Multiple-view Display system using Retro Reflection Projection Technology
عنوان فارسی مقاله: استتار نوری III: استروسکوپی خودکار و سیستم نمایش چندمنظر با استفاده از فناوری پرتوافکنی پس بازتابگر.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 5
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
این مقاله نوع جدیدی از سیستم استتار نوری را معرفی می‌کند که مبتنی است بر فناوری پرتوافکنی پس‌بازتابگری. پرتوافکنیِ پس‌بازتابگری؛ روش به کار رفته برای ایجاد واقعیت افزوده  ، دنیای مجازی را با دنیای واقعی ترکیب می‌کند. مدل مرسومِ یک سیستم استتار نوری متشکل است از یک صفحه نمایش پس‌بازتابگر، یک منبع پرتوافکن و یک شکاف‌دهنده پرتو. در چنین چیدمانی، نیاز است تا کاربر جسم پوشیده شده با صفحه نمایش پس‌بازتابگر را از یک نقطه ‌نظر بتواند ببیند. این نوع سیستم را یک‌چشمی  گویند. در چیدمان جدیدی که ما تدارک دیده‌ایم، هدف ما این است که با اعمال یک سیستم آرایش پرتوافکن نوین دارای چندین نقطه‌نظر باشد. ما روشی را بیان خواهیم کرد که به کمک آن این سیستم آرایش پرتوافکن با استفاده از یک منبع پرتوافکنی، پیکربندی سیستم، و سبک و سنگین کردن سیستم حاصل می‌شود. علاوه بر این، کاربرد این سیستم در یک اتومبیل را توصیف خواهیم کرد. سیستم نصب شده باعث می‌شود صندلی عقب بصورت مجازی شفاف (پشت ‌نما) شود و به راننده این اجازه را بدهد که نقاط کور را ببیند. 
کلیدواژه: فناوری پرتوافکنی پس بازتابگر، استروسکوپی خودکار، نمایش چندمنظر، استتار نوری





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-02:48 ق.ظ

ترجمه مقاله وقتی اشتراک مجموعه‌ی خصوصی با کلان داده‌ها مواجه می‌شود

عنوان انگلیسی مقاله: Optical Camouflage Using Retro-reflective Projection Technology
عنوان فارسی مقاله: استتار نوری با استفاده از فناوری پرتوافکنی پس‌بازتابگر.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 3
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
این مقاله نوعی سیستم استتارِ اکتیو موسوم به استتار نوری را توصیف می‌کند. استتار نوری از فناوری پرتوافکنی Retro-reflective (بازتابشی) استفاده می‌کند، یک سیستم تقویت‌شده مبتنی بر پرتوافکنی که شامل یک پروژکتور با یک عنبیه کوچک و یک صفحه بازتاباننده (بازتابشی) است. 
جسمی که قرار است شفاف (پشت‌نما) شود، نقاشی شده و یا با یک ماده بازتاباننده پوشش داده می‌شود. سپس یک پروژکتور عکس پشت‌زمینه را روی آن تصویر می‌کند و بدین ترتیب جسم پوششی را بطور مجازی پشت‌نما می‌کند. 
1.مقدمه:
برای تکمیل فضای بصری روش‌های متنوعی ارائه شده است. در زمینۀ Mixed Reality (واقعیت ترکیبی)، یکی از محبوب‌ترین موضوعات این است که یک جسم مجازی در دنیای واقعی نمایش داده شود[1]. 
با این حال، تصویرسازی مجازی اشیا، مثل "مرد نامرئی" HG.Wells ، را می‌توان یک رویا تصور کرد. در این مقاله، ما در مورد تکنیک استتاری صحبت خواهیم کرد که موسوم است به استتار نوری.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:چهارشنبه 16 اردیبهشت 1394-01:08 ق.ظ

طراحی بهینه شبکه برق برای یک مزرعه بادی بزرگ دریایی

عنوان انگلیسی مقاله: Optimal Electric Network Design for a Large Offshore Wind Farm Based on a Modified Genetic Algorithm Approach
عنوان فارسی مقاله: طراحی بهینه شبکه برق برای یک مزرعه بادی بزرگ دریایی براساس رویکرد الگوریتم ژنتیک اصلاح شده.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 20
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
توسعه روز افزون مزارع بادی درمقیاس بزرگ دریایی درسراسر جهان باعث ظهور بسیاری ازچالش های فنی و اقتصادی جدیدشده است. هزینه سرمایه شبکه‌ برقی که از مزارع بادی بزرگ دریایی پشتیبانی می‌کند، بخش قابل ‌‌توجهی از هزینه کل مزارع بادی را تشکیل می‌دهد. لذا، یافتن طراحی بهینه شبکه برق یک وظیفه خیلی مهم است که در این مقاله به آن پرداخته می‌شود. در این مقاله یک مدل هزینه توسعه یافته است که هزینه‌های دقیق‌تر و واقعی‌تر ترانسفورماتورها، پست‌ها و کابل‌ها را در بر می‌گیرد. همین موضوع باعث شده است مدل جدید ارائه شده نسبت به روش‌های موجود مبسوط‌تر و بهتر باشد. همچنین از یک الگوریتمی استفاده شده است که مبتنی است بر الگوریتم ژنتیک بهبودیافته و شامل الگوریتم خاصی است که حین طراحی آرایه‌های شعاعی، سطح مقطع‌های گوناگون کابل‌ها را هم در نظر می‌گیرد. رویکرد ارائه شده توسط یک مزرع بادی بزرگ دریایی آزموده شده است؛ نتایج آزمون نشان می‌دهد که الگوریتم معرفی‌شده طراحی‌های بهینه معتبری از شبکه برق را فراهم می‌کند. 
کلیدواژه‌ها- سیستم توزیع برق، الگوریتم ژنتیک، مزرعه بادی دریایی، بهینه‌سازی.
مقدمه:
انرژی بادی کم‌کم دارای اهمیت استراتژیک و اقتصادی فزاینده‌ای در سراسر جهان می‌شود. این انرژی یکی از گزینه‌های نویدبخش در بین سایر فناوری‌های تولید انرژی‌های تجدیدپذیر است و انتظار می‌رود نقش مهمی در کاهش پیامدهای زیست محیطی در رفع نیاز جوامع مدرن از صنعت برق ایفا کند. استفاده از تولید برق بادی دریایی بنا به دلایل زیر جذاب و قابل توجه است: 1) مزارع بادی دریایی، منابع باارزش سرزمین‌ها را به تصرف در نمی‌آورند؛ 2) استفاده از مکان‌های دریایی(مترجم: یعنی استفاده از مکان‌های داخل دریا) بدین معناست که مزرعه بادی تا حد زیادی دور از چشم و دید بوده و آلودگی صوتی نخواهد داشت؛ 3) جریان باد توسط ساختمان‌ها و جنگل‌ها مشوش نشده و بطور مستقیم و با سرعت زیاد با تیغه‌های توربین برخورد خواهد داشت لذا عملکرد توربین افزایش خواهد یافت؛ 4) طرح‌های توربین بادی دریایی با توان نامی بزرگتری نسبت به طرح‌های ساحلی موجودند که این نرخ‌های بزرگ باعث توسعه اقتصادی می‌شود؛ و 5) آب دریا باعث می شود خنک‌سازی قطعات امکانپذیر بوده و هزینه کمی را به دنبال داشته باشد.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 




  • تعداد صفحات :9
  • ...  
  • 3  
  • 4  
  • 5  
  • 6  
  • 7  
  • 8  
  • 9  
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic