درباره وبلاگ

آرشیو

آخرین پستها

پیوندها

نویسندگان

ابر برچسبها

آمار وبلاگ



Admin Logo
themebox Logo


نویسنده :ماهان ما
تاریخ:شنبه 19 اردیبهشت 1394-12:14 ب.ظ

مدل سازی عددی پاسخ های Z-TEM برای دستورالعمل استراتژی های اکتشاف

عنوان انگلیسی مقاله: Numerical modeling of Z-TEM (airborne AFMAG) responses to guide exploration strategies
عنوان فارسی مقاله: مدل سازی عددی پاسخ های Z-TEM (AFMAG هوایی) برای دستورالعمل استراتژی های اکتشاف.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 10
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
 اکتشاف معدنی با استفاده ازZ-TEM یا Z- Axis Tipper Electromagnetics ، یک سیستم AFMAG هوایی، بوسیله مدلسازی عددی انواع هدف بررسی می شود. مدلسازی عددی برای برنامه ریزی نقشه برداری در بررسی ارتفاع نقشه برداری، فاصله خطی و پاسخ های مورد انتظار هدف ها مورد استفاده قرار می گیرد. دانستن پاسخ Z-TEM یک نوع رسوب کشف شده، به تفسیر نتایج کمک می کند. مدلسازی عددی نشان می دهد که سیستم Z-TEM برای رسوب های عمیق و بزرگ از حساسیت پائین تا بالا مثل مس و رسوبات SETEX مناسب می باشد.
مقدمه:
Z-TEM بصورت تجاری از سال 2007 مورد استفاده قرار گرفت.  Exploration Syndicate and Geotech. تعدادی از نقشه برداری های تجاری و نمایش ها را که استراتژی کشف بر اساس انتخاب بهترین ناحیه را که خود بر اساس ارزیابی مدل های زمین شناسی و ارزیابی مناسب بودن Z-TEM برای نوع هدف خاصی می باشند را ارائه داده است.
Z-TEM زمین های فعال و طبیعی یا غیر فعال، زمین را به عنوان منبع انرزی ارسال شده استفاده می کنند. این زمین های طبیعی مسطح هستند و به علت رفتارشان در حالت پخش و انتشار، افقی هستند. هر زمین EM قائم بوسیله هدایت الکتریکی در زمین تولید می شود. سیستم Z-TEM  زمین EM قائم در امتداد خطوط نقشه برداری اندازه گیری می کند و از ایستگاه اصلی برای اندازه گیری زمین های افقی استفاده می کند.
مدلسازی عددی پاسخ های Z-TEM روی رسوبات به این منظور انجام می شود که با توجه و بررسی پاسخ های دریافتی از رسوبات، به تفسیر داده پرداخت. داده همچنین برای تعیین پارامترهای اخذ داده مانند فاصله خطی، فرکانس یا تکرارهای استخراج شده و ارتفاع نقشه برداری استفاده می شود. به این منظور تعدادی از رسوبات کلاس جهانی به عنوان رسوب مس SPENCE و رسوب سولفید حجیمRed Dog SEDEX برای شبیه سازی عددی انتخاب می شود.






داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:شنبه 19 اردیبهشت 1394-01:17 ق.ظ

جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نیمه هادى

عنوان انگلیسی مقاله: 1-Bit Sub Threshold Full Adders in 65nm CMOS Technology
عنوان فارسی مقاله: جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى65 نانومتری.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 13
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد.
1-مقدمه: 
تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه  یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است.کارایی این روش بعلتوجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه  می‌گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی  - با کران نویز قابل قبول می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:شنبه 19 اردیبهشت 1394-01:07 ق.ظ

روش جاروب رو به عقب، حل پخش بار در شبکه های توزیع

عنوان انگلیسی مقاله: A backward sweep method for power flow solution in distribution networks
عنوان فارسی مقاله: روش جاروب رو به عقب، برای حل پخش بار در شبکه های توزیع.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 27
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
در اینجا، یک روش برای تجزیه و تحلیل سیستم های توزیع شعاعی یا مش شده ضعیف، که بارهای وابسته به ولتاژ را تغذیه می کنند، توسعه داده شده است. فرآیند راه حل، بصورت تکراری می باشد، و در هر مرحله، بارها از طریق امپدانس هایشان شبیه سازی شده اند. بنابراین، در هر تکرار، لازم است که یک شبکه ی ساخته شده از امپدانس ها را، حل کرد؛ براین این نوع شبکه ها، می توان همه ی ولتاژها و جریان ها را بصورت توابع خطی از یک جریان مجهول (در سیستم شعاعی)، یا دو جریان مجهول برای هر مش مستقل (برای سیستم های مش شده)، بیان کرد. این روش، "رو به عقب" نام گذاری شده است؛ زیرا در صورت شبکه شعاعی، معادلات تکی، و در صورت شبکه های مش، سیستم خطی معادلات که این جریان های مجهول در قالب آنها ظاهر می شوند را می توان با آغاز از گره های پایانی سیستم شعاعی، یا از گره های پایانی شبکه شعاعی شده (با ایجاد برش در شبکه های مش، ایجاد می شود)، تعیین کرد. پس از این که چکیده-وار روش b/f _که هم اکنون پرکاربردترین تکنیک برای حل شبکه های توزیع است_ را تشریح کردیم، روش شناسی راه حل ارایه شده ی خود را، هم برای سیستم های شعاعی و هم برای سیستم های مش شده (حلقه ای)، بطور دقیق ارایه می دهیم. سپس، روشی را که با آن می توان نقاط PV را لحاظ کرد، توصیف خواهد شد.
در پایان، نتایج بدست آمده از حل برخی شبکه هایی که پیش از این در نوشتجات مورد بررسی قرار گرفته بودند، توسط دیگر روش ها ارایه می شوند، تا عملکرد آنها مورد ارزیابی قرار گیرد. 
کاربرد این روش، بازده ی آن را در حل شبکه های توزیع با حلقه ها و نقاط PV زیاد، نشان می دهد. 
کلیدواژه: روش رو به عقب/ رو به جلو، شبکه های توزیع مش و شعاعی، گره های pv، گردش بار
1.مقدمه:
روشی که هم اکنوان برای تجزیه و تحلیل سیستم های توزیع شعاعی ارایه می شود، روش رو به عقب/ رو به جلو (b/f) نام دارد، که برای بارهای با جریان ثابت، پاسخ را در یک تکرار، و برای بارهای نوع دیگر (بار توان ثابت، مرکب، یا غیره)، در 1 تکرار یا بیشتر، پاسخ را می یابد.
به خوبی می دانیم که سه گونه از روش b/f وجود دارد _که طبق نوع کمیت های الکتریکی که در هر تکرار، از گره های ترمینال شروع شده، و تا گره های منبع (جاروب رو به عقب) ادامه دارند، با هم متفاوت هستند_ محاسبه می شوند:






داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:جمعه 18 اردیبهشت 1394-12:21 ب.ظ

تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS

عنوان انگلیسی مقاله: A CMOS Inverter-Based Class-AB Pseudo Differential Amplifier for HF Applications
عنوان فارسی مقاله: تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 13
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
این مقاله یک تقویت کننده ی شبه- تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB) _که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حالت جریان و تقویت کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance)، بوده_ می باشد. این مدار با استفاده از فناوری CMOS 0.18 نانومتری تحت ولتاژ منبع 1 ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین (-15 dB)، بدست می آید. نوسان خروجی مدار 0.7 v می باشد. تلفات توان مدار 0.96 میکرووات می باشد. 
کلیدواژه: تقویت کننده ی شبه تفاضلی ، و فیدبک حالت-مشترک، کلاس-AB، اینورتر CMOS
1.مقدمه:
امروزه، یک مدار آنالوگ با کارکرد خوب _عمدتا بسبب پیشرفت ساختن مدار مجتمع فراوان با سیستم های مداری پیچیده، و نیاز به وسایل قابل حمل با منبع باطری_ بایسته شده است. اگرچه، کاهش منبع ولتاژ در مدارات آنالوگ باعث کاهش عملکرد زیادی می شود، و بنابراین، ترفندهای تازه ای برای طراحی نیاز است تا مدارات آنالوگ با پهنای باند، بهره، و خطی بودن کافی را بدست آورد.
تقویت کننده ی هدایت عرضی (OTA)، یکی از پایه ای ترین سلول ها _از آنجایی که OTA کاربرد زیادی در بسیاری از مدارات آنالوگ مانند تقویت کننده عملیاتی، مقایسه گرهای ولتاژ، مبدل های A-D و D-A و فیلترهای فرکانس بالا، دارد_ می باشد. روش های زیادی هم با استفاده از پیکربندی کاملن تفاضلی و هم با استفاده از پیکربندی شبه تفاضلی، برای طراحی OTA ولتاژ پایین [1-4] ارایه شده اند. FD بطور معمول، مبنی بر یک جفت تفاضلی با یک منبع جریان tail است، درحالی که PD مبنی بر دو اینورتر مستقل، بدون منبع جریان tail می باشد





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:جمعه 18 اردیبهشت 1394-09:09 ق.ظ

ساختار کنترل پیشرفته برای میکروگریدهای هوشمند

عنوان انگلیسی مقاله: Advanced Control Architectures for Intelligent Microgrids – Part II: Power Quality, Energy Storage, and AC/DC MicroGrids
عنوان فارسی مقاله: ساختار کنترل پیشرفته برای میکروگریدهای هوشمند- بخش دوم: کیفیت توان، انباره انرژی و میکروگریدهای AC/DC.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 12
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
این مقاله مسائل و راه کارهای اصلی مرتبط با کیفیت توان را در میکروگریدها، سیستم های ذخیره ی انرژی توزیع شده و میکروگریدهای ترکیبی AC/DC را به صورت مختصر بیان می نماید. در ابتدا بهبود کیفیت توان در میکروگریدهای دارای ارتباط با شبکه ارائه می شود سپس کنترل اشتراکی جهت بهبود بخشیدن هارمونیکهای ولتاژ و عدم توازن ولتاژ در میکروگریدها مرور می گردد. بعد از آن استفاده از جبران ساز همزمان استاتیک(STATCOM) در میکروگریدهای متصل شده به شبکه  معرفی می شود که از آن جهت بهبود عدم توازن و یا افت/افزایش بیش از حد ولتاژ استفاده می گردد. در نهایت کنترل هماهنگ سیستم توزیع شده(پراکنده ی)  ذخیره و میکروگریدهای ترکیبی AC/DC توضیح داده شده اند.
واژگان شاخص- میکروگریدها، ذخیره ی انرژی توزیع شده، کیفیت توان، STATCOM
.I مقدمه:
میکروگرید یک شبکه ی محلی است که از ژنراتورهای توزیع شده ( DGs)، سیستم های ذخیره ی انرژی و بارهای پراکنده تشکیل شده است که ممکن است در یکی از دو مد(حالت) اتصال به شبکه و یا به صورت مجزا عمل نماید[1,2]. DG ها اغلب از طریق مبدلهای واسط توان الکتریکی به میکروگریدها متصل می شوند. نقش اصلی یک مبدل واسط، کنترل توان تزریقی است. به علاوه جبران مشکلات کیفیت توان همانند هارمونیکهای ولتاژ می تواند از طریق استراتژی های کنترل صحیح قابل دستیابی باشد. راه کارهای جبران هارمونیک ولتاژ بر اساس وادار نمودن واحدهای DG  به داشتن یک مقاومت در فرکانسهای هارمونیک است تا از این طریق این هارمونیکها را جبران نماید[4,10] .
عدم توازن ولتاژ هنگامی ظاهر می شود که بار تکفاز به میکروگرید متصل می شود. جبران عدم توازن ولتاژ معمولاً با استفاده از مجموعه ای از فیلترهای فعال توان و از طریق تزریق توالی ولتاژ منفی به صورت سری با خط توزیع توان انجام می شود[4]. اگرچه کارهایی نیز وجود دارند که در آنها از فیلتر فعال توان موازی جهت جبران عدم توازن ولتاژ استفاده شده است[6]. در این کار عدم توازن ولتاژکه از بارهای نامتوازن ناشی شده است بوسیله ی تزریق سکانسی از توالی جریانهای منفی جبران شده است.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:جمعه 18 اردیبهشت 1394-07:24 ق.ظ

طیف بهره - اشباع شده نامتقارن در تقویت کننده های پارامتریک فیبر نوری

عنوان انگلیسی مقاله: Asymmetric gain-saturated spectrum in fiber optical parametric amplifiers
عنوان فارسی مقاله: طیف بهره-اشباع شده نامتقارن در تقویت کننده های پارامتریک فیبر نوری.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 21
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
ما هم با آزمایش و هم بصورت محاسباتی، یک عدم تقارن طیفی ناخواسته،در طیف بهره-اشباع شده ی تقویت کننده های پارامتریک فیبر نوری تک-پمپ را اثبات می کنیم. حاصل اندرکنش میان ترکیب چهار موج مرتبه-بالاتر و امواج پراکنده کننده تابش شده به عنوان اثری از تجزیه مرتبه سوم -بسته به ناتنظیمی آن با توجه به  پمپ-  بر انتقال انرژی به سیگنال تاثیر می گذارد،و تقارن بهره ی مورد انتظار از ملاحظات تطبیق-فاز را،در تقویت کننده ی اشباع نشده ازبین می برد. نشان داده شده است که ویژگی عدم تقارن طیف اشباع شده،مخصوصن به مشخصه های پاشندگی تقویت کننده بستگی دارد و ازدیاد محلی را برای مقادیر تجزیه معین نشان می دهد. 
1.مقدمه:
 معمولا از تقویت پارامتری نوری،مبنی بر ترکیب چهار-موجی،و تکیه بر ویژگی غیرخطی بودن مرتبه سوم فوق سریع فیبرهای نوری،برای پردازش سیگنال تمام اپتیک –مانند تولید پالس،تبدیل فرکانس،بازتولید دامنه و غیره [1-3]- استفاده می شود. پاسخ بهره ی سریع تقویت کننده های پارامتری فیبر نوری اشباع شده(FOPA)، شدت نوسان سیگنال ورودی را کاهش می دهد[2,4]. چنین کاربردی،نیازمند است که تقویت کننده در حالت اشباع شده ی خود کار کند و بنابراین، به این نیاز برای رفتار مناسب طیف های بهره ی اشباع شده ی FOPAها، تکیه می کند. FOPAهای تک-پمپ که در حالت بهره ی خطی کار می کنند،تنها یک محصول FWM(ترکیب چهار موج) عمده دارند،که به طور متقارن با فرکانس پمپ قرار دارد.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:جمعه 18 اردیبهشت 1394-07:23 ق.ظ

کلیدزنی تغییر بار حامل کمکی برای تلمتری اطلاعات معکوس

عنوان انگلیسی مقاله: Auxiliary-Carrier Load-Shift Keying for Reverse Data Telemetry from Biomedical Implants
عنوان فارسی مقاله:  کلیدزنی تغییر بار حامل کمکی برای تلمتری اطلاعات معکوس، با روش کاشت پزشکی.
دسته: پزشکی - برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 9
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
این مقاله روش جدیدی برای تلمتری اطلاعات بوسیله ابزارهای کاشتنی پزشکی به دنیای خارج را معرفی می کند(همچنین با عنوان تلمتری اطلاعات معکوس معروف است).در روش پیشنهاد شده، همزمان با انتقال توان (و شاید هم  اطلاعات) با استفاده از یک حامل اصلی به ایمپلانت، حامل دومی نیز از طریق همان لینک به ایمپلانت فرستاده می شود. حامل دوم که دارای فرکانس بالاتر و دامنه کوچکتر است، بوسیله کلیدزنی تغییر بار برای تلمتری اطلاعات معکوس پیش بینی شده است.در این فرایند، لینک بیسیم(وایرلس) بوسیله ی دو فرکانس تشدید با استفاده از پیچک های مارپیج چاپی با تزویج نزدیک بهم و شبکه های تطبیق LC، دریافت می شود.فرکانس های حامل های اصلی و کمکی،به ترتیب 1 مگاهرتز و 10 مگاهرتز با پیک دامنه ی 5 ولت و 1 ولت است.همزمان با قابلیت تامین پیوسته ی توان های تنظیم نشده بار مقاومتی 100 اهمی با بیشینه توان 80 میلی وات با پیک ولتاژ 4 ولت لینک،تلمتری اطلاعات با میزان 100 کیلوبایت بر ثانیه، بطور موفق در جهت معکوس مورد آزمون قرار می گیرد.
1.مقدمه:
میکروسیسم ها برای تعبیه در افزارهایی که نیاز به ارتباط با دنیای بیرون بوسیله ی اتصال بیسیم دارند،طراحی شده اند. بطور کل،ارتباط بیسیم به میکروسیستم های پزشکی قابل کاشت،برای تلمتری اطلاعات به الکترونیک کاشته شده و نیز برای تبادل اطلاعات دوطرفه میان جای تعبیه شده و دنیای خارج استفاده می شود.[1]
دو روش برای انتقال اطلاعات بیسیم از میکروسیستم های قابل کاشت به دنیای بیرون وجود دارد.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:جمعه 18 اردیبهشت 1394-07:21 ق.ظ

کنترل هموار نوسان تولید برق فتوولتیک و توان بادی

عنوان انگلیسی مقاله: Battery Energy Storage Station (BESS)-Based Smoothing Control of Photovoltaic (PV) and Wind Power Generation Fluctuations
عنوان فارسی مقاله:  کنترل هموار نوسان تولید برق فتوولتیک  و توان بادی، مبنی بر باطری خانه ذخیره کننده انرژی. 
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 36
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
از باطری خانه ذخیره کننده انرژی (BESS) برای مقاصد فعلی هموار کردن (منظور ازبین بردن نوسانات) نوسانات تولید انرژی بادی و خورشیدی استفاده می شود. این سیستم های قدرت هیبرید مبنی بر BESS، به یک استراتژی کنترل مناسبی که بتواند بصورت موثری سطوح توان خروجی و حالت شارژ (SOC) باطری را تنظیم کند، نیازمندند. این مقاله، نتایج بررسی شبیه سازی سیستم قدرت هیبرید بادی/فتوولتاییک (PV)/BESS را که به منطور بهبود عملیات هموار کردن شکل موج توان تولیدی خروجی، و اثربخش بودن کنترل SOC باطری انجام شده است، ارایه می دهد. یک روش کنترل هموار برای کاهش نوسانات توان خروجی هیبریدی بادی/PV و نیز تنظیم SOC باطری تحت شرایطی خاص، در اینجا ارایه شده است. یک روش جدید تخصیص توان لحظه ای مبنی بر BESS نیز پیشنهاد شده است. فواید این روش ها نیز با استفاده از نرم افزار MATLAB/SIMULINK بررسی شده است.
اصطلاحات مربوط: کنترل هموار سازگار، باطری خانه ذخیره انرژی (BESS)، تولید توان خورشیدی، حالت شارژ(SOC) ، تولید توان بادی.
مقدمه:
در سال های اخیر، تولید برق با استفاده از انرژی باد و خورشید (PV) توجه چشمگیری را در سراسر دنیا به خود واداشته است. شرکت دولتی شبکه برق چین (SGCC)، در حال ساخت پروژه نمایشی مشترک خطوط انتقال، و پست ذخیره انرژی بادی/PV/باطری ای (BESS) ملی بوده، و این پروژه در منطقه ژآنگبی، هبی در چین واقع است. ژآنگبی متعلق به نیروگاه بادی 10 ملیون کیلوواتی چین می باشد. پروژه نمایشی در سه مرحله برنامه ریزی شده است. اکنون در مرحله نخست قرار داشته . تا پایان ماه دسامبر سال 2011، یک مزرعه بادی 100 مگاواتی، یک مزرعه 40 مگاواتی، و یک BESS لیتیومیونی 14-MW/63-MWh در ژانگبی ساخته خواهد شد.
سیستم ذخیره سازی انرژی باطری، قادر به ارایه پاسخ های مدیریت انرژی انعطاف پذیری است که می تواند کیفیت توان سیستم های تولید توان هیبریدی انرژی تجدیدپذیر را بهبود بخشد. بدین منطور، روش های کنترلی و پیکربندی های زیادی باید برای سیستم های ذخیره سازی انرژی هیبریدی _مانند یک سیستم ذخیره سازی انرژی باطری، یک سیستم مغناطیسی ابررسانا (SMES)، یک سیستم انرژی چرخ طیار (FES)، یک سیستم انرژی خازنی (ECS)، و یک سیستم هیبریدی پیل سوختی/الکترولایزر_ ارایه شده اند تا نوسانات توان را کاهش داده یا کیفیت توان را بهبود بخشند.






داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 

نویسنده :ماهان ما
تاریخ:جمعه 18 اردیبهشت 1394-06:21 ق.ظ

روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده

عنوان انگلیسی مقاله: A Combined Gate Replacement and Input Vector Control Approach for Leakage Current Reduction
عنوان فارسی مقاله:  روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 36
ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
کنترل بردار ورودی(IVC) تکنیک معروفی برای کاهش توان نشتی است. این روش، از اثر پشته های ترانزیستوری در دروازه های منطقی (گیت) CMOS با اعمال مینیمم بردار نشتی(MLV) به ورودی های اولیه ی مدارات ترکیبی، در طی حالت آماده بکار استفاده می کند. اگرچه، روش IVC (کنترل بردار ورودی)، برای مدارات با عمق منطقی زیاد کم تاثیر است، زیرا بردار ورودی در ورودی های اولیه تاثیر کمی بر روی نشتی گیت های درونی در سطح های منطقی بالا دارد.ما در این مقاله یک تکنیک برای غلبه بر این محدودیت ارایه می کنیم؛ بدین سان که گیت های درونی با بدترین حالت نشتی شان را با دیگر گیت های کتابخانه جایگزین می کنیم، تا عملکرد صحیح مدار را در طی حالت فعال تثبیت کنیم. این اصلاح مدار، نیاز به تغیر مراحل طراحی نداشته، ولی دری را به سوی کاهش بیشتر نشتی وقتی که روشMLV (مینیمم بردار نشتی) موثر نیست باز می کند. آنگاه ما، یک روش تقسیم و غلبه که جایگزینی گیت های را مجتمع می کند، یک الگوریتم جستجوی بهینه MLV برای مدارات درختی، و یک الگوریتم ژنتیک برای اتصال به مدارات درختی، را ارایه می کنیم. نتایج آزمایشی ما بر روی همه مدارات محک MCNC91، نشان می دهد که  1) روش جایگزینی گیت، به تنهایی می تواند 10% کاهش جریان نشتی را با روش های معروف، بدون هیچ افزایش تاخیر و کمی افزایش سطح، بدست آورد:  2) روش تقیسم و غلبه، نسبت به بهترین روش خالص IVC 24% و نسبت به روش جایگذاری نقطه کنترل موجود 12% بهتر است:  3) در مقایسه با نشتی بدست آمده از روش MLV بهینه در مدارات کوچک، روش ابتکاری جایگزینی گیت و روش تقسیم-و-غلبه، به ترتیب می توانند بطور متوسط 13% و 17% این نشتی را کاهش دهند.
کلیدواژه: جایگزینی گیت، کاهش نشتی، مینیمم بردار نشتی
1.مقدمه:
همزمان با کوچک شدن فناوری VLSI و ولتاژ منبع/آستانه، توان نشتی در مدارات CMOS امروزه دارای اهمیت بیشتر و بیشتر شده است. به عنوان مثال، در طراحی ها نشان داده شده است که توان نشتی زیرآستانه می تواند به بزرگی 42% توان کل تولید فرآیند 90 نانومتری شرکت داشت باشد [11]. بدین ترتیب، روش های زیادی اخیرا برای کاهش مصرف توان نشتی ارایه شده اند. فرآیند ولتاژ آستانه دوگانه، از وسایل با ولتاژ آستانه بیشتر، به همراه مسیرهای غیر بحرانی، استفاده می کند تا جریان نشتی را ضمن تثبیت عملکرد، کاهش دهد [16]. روش های CMOS ولتاژ آستانه چندگانه (MTCMOS)، یک وسیله با ولتاژ Vth بالا را بطور سری با مدار با Vth پایین قرار داده، و یک ترانزیستور sleep می سازد.





داغ کن - کلوب دات کام
نظرات() 




  • تعداد صفحات :7
  • 1  
  • 2  
  • 3  
  • 4  
  • 5  
  • 6  
  • 7  
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic